铠侠开发NIL半导体工艺无需EUV光刻机制程直奔5nm

据据日媒报导，铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，铠侠已掌握15nm量产技术，目前正在进行15nm以下技术研发，预计2025年达成。

与目前已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比，NIL更加减少耗能且大幅降低设备成本。

因NIL的微影制程较单纯，耗电量可压低至EUV生产方式的10%，并让设备投资降低至40%。

而EUV设备由ASML独家生产供应，不但价格高，且需要许多检测设备配合。

目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。

如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术，可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，又能符合减少碳排放的需求。

对铠侠来说，NAND组件采取3D堆叠立体结构，更容易因应NIL技术的微影制程。

铠侠表示，已解决NIL的基本技术问题，正在完善量产技术，希望能率先引入NAND生产。

根据DNP说法，NIL技术电路精细程度可达5nm，DNP从2021年春起，根据设备的规格值进行内部仿真。

DNP透露，从半导体制造商询问增加，显示不少厂商对NIL技术寄予厚望。

而佳能则致力于将NIL技术广泛应用于制作DRAM及PC用CPU等逻辑IC的设备，供应多种类型的半导体制造商，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。

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