功耗直接砍半三星：3nm GAA 工艺研发进度领先台积电

据韩媒 Business Korea 最新报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长 Jeong Eun-seung 在 8 月 25 日的一场网络技术论坛中透露，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布 GAA 技术商业化。

他直言：“我们开发中的 GAA 技术，领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

据悉，GAA 是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显着增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。

根据三星的说法，与 5nm 制造工艺相比，3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 35% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了约 30%。

三星早在 2019 年就公布了 3nm GAA 工艺的 PDK 物理设计套件标准，当时三星预计 3nm GAA 工艺会在 2020 年底试产，2021 年量产，但现在显然不能实现这个计划了。

需要注意的是，有消息称三星 3nm GAA 工艺如果拖到 2024 年量产，将会直接与台积电 2nm 竞争，到时候鹿死谁手还犹未可知。

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