比一亿像素更高 三星将使用14nm FinFET工艺制造144MP图像传感器

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12月16日消息，据媒体报道，在今年的IEE国际电子设备会议（IEDM2019）上，三星展示了14nm FinFET工艺，该工艺将用于超过144MP传感器。

据介绍，14nm FinFET工艺使得界面态密度（Nit）提升了40%以上，闪烁噪声提高了64%，数字逻辑功能芯片功耗降低34%。凭借14nm FinFET先进工艺优势，144MP功耗有望降低42%。

目前尚不确定144MP量产商用时间，值得一提的是，明年搭载一亿像素机型可能会迎来爆发。考虑到骁龙865最高支持2亿像素，明年不排除会有2亿像素传感器上市的可能，值得期待。

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