著名半导体器件及微电子学专家陈星弼院士逝世

IT之家12月4日消息 据中国科学院官方微博12月4日消息，陈星弼院士逝世。

2019年12月4日17时10分，半导体器件及微电子学专家、“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。陈星弼，1931年1月出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，1956年开始在电子科技大学任教，1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，该发明被称为“功率器件的新里程碑”。2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。