三星电子获美国至多 64 亿美元补贴,将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂

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4月15日消息,美国政府宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元(约 464.64 亿元人民币)的补贴,而三星电子将在得克萨斯州投资超过 400 亿美元,建设包括 2nm 晶圆厂在内的一系列半导体项目。

与台积电一样,三星电子此次同美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。三星电子将在得克萨斯州的两个地点建立一个半导体生态集群,包括:在泰勒市的两座先进逻辑代工厂,分别为 4nm 和 2nm 制程;在泰勒市的一座先进制程研发设施;在泰勒市的一座先进封装工厂,可进行 3D HBM 内存的生产和 2.5D 封装;在奥斯汀扩建现有半导体设施,扩大 FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)工艺产能。

三星电子此次投资将在未来 5 年为美国创造超过 17000 个建筑行业工作岗位和 4500 多个高薪制造业工作岗位。作为配套,美国政府还将通过《芯片法案》提供 4000 万美元(当前约 2.9 亿元人民币)的当地劳动力培训发展资金。

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