韩国芯片巨头SK海力士计划升级在华工厂

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韩国《首尔经济》13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。

对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

报道称，SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。

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