俄称自行开发光刻机将于2028年问世可产出7纳米芯片

为此，俄罗斯政府推出一项国家计划，希望2030 年开发28纳米制程，希望靠着对外国芯片进行逆向工程，并培养当地半导体人才。

不过，碍于国际制裁，美欧半导体设备商不能供应俄罗斯，若俄国推进28纳米制程，就必须设计和研发出国产设备。只是，像ASML 和应材（Applied Materials）这样的公司，得耗费几十年时间开发，更新迭代也必须在大约8年内完成。

但是，俄罗斯似乎一点也不担心，俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构（Novgorod Strategy Development）发豪语，宣称俄罗斯科学院旗下应用物理研究所将会跌破所有人眼镜，在2028年开发出可以生产7纳米芯片的光刻机，还可击败ASML同类产品。

俄罗斯科学院纳米结构研究所副所长表示，全球光刻机领导者ASML 近20 年来一直致力于EUV 曝光机，目标是让世界顶尖半导体厂商保持极高的生产效率。但俄罗斯并不需要，只要根据俄罗斯国内的需求向前推进即可。

报导直言，俄罗斯的想法似乎太过天真，俄罗斯想在6年内研发出可支持7纳米芯片的光刻机可行性不高，且晶圆厂并非光靠光刻机就可生产出芯片，还需要许多设备，而俄罗斯并不生产这些设备。（校对/王婉青）

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